Propriétés des défauts de surface produits par recuit laser continu sur GaAs

E-ISSN： 0035-1687|22|11|1451-1458

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.22, Iss.11, 1987-11, pp. : 1451-1458

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

Caractérisation des défauts produits dans GaAs irradié aux protons par analyse des transitoires thermiques et optiques de capacité

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 15, Iss. 3, 1980-03 ,pp. : 679-686

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Influence des défauts de surface sur le comportement des MESFET GaAs

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 19, Iss. 2, 1984-02 ,pp. : 149-154

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

DIFFUSION DE L'ALUMINIUM DANS LE SILICIUM CRISTALLIN PAR RECUIT LASER SEMI-CONTINU

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 44, Iss. C5, 1983-10 ,pp. : C5-235-C5-240

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

ÉTUDE PAR CANALISATION DES DÉFAUTS CRÉÉS DANS GaAs PAR L'IMPLANTATION DE Zn+ DE 1 MeV

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 34, Iss. C5, 1973-11 ,pp. : C5-119-C5-124

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Applications des plasmas produits par le laser à excimères HERCULES-L : du recuit du silicium à la lithographie par rayons X

Le Journal de Physique IV, Vol. 11, Iss. PR7, 2001-10 ,pp. : Pr7-133-Pr7-134

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite