Déclenchement des structures thyristor métal oxyde semiconductor (Thys-MOS et MCT) par la composante du courant sous le seuil

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|5|1|11-32

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.5, Iss.1, 1995-01, pp. : 11-32

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