Caractérisation électrique des interfaces P+ - Si -poly/N-c-Si réalisées par dépôt LPCVD de films fortement dopés in situ au bore

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|3|11|2163-2163

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.3, Iss.11, 1993-11, pp. : 2163-2163

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