Etude du phénomème de vieillissement des transistors MOS microniques par l'analyse des caractéristiques DCG

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|2|6|979-994

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.2, Iss.6, 1992-06, pp. : 979-994

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

ETUDE DES DEFAUTS DANS LES COUCHES HETEROEPITAXIALES DE MATERIAUX I I I-V PAR L'ANALYSE METALLOGRAPHIQUE SUR BISEAU CHIMIQUE

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 44, Iss. C4, 1983-09 ,pp. : C4-409-C4-414

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etude expérimentale du bruit de fond des amplificateurs et transistors par une méthode de mesure directe

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 17, Iss. 12, 1982-12 ,pp. : 793-799

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

ÉTUDE DES SPECTRES ÉLECTRONIQUES DE MOLÉCULES A COURTE DURÉE DE VIE, PAR L'ANALYSE DES CONTOURS DE ROTATION DE BANDES VIBRONIQUES. APPLICATION AU SPECTRE D'ÉMISSION DU RADICAL BENZYLE

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 32, Iss. C5, 1971-10 ,pp. : C5a-155-C5a-157

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Conditions d'optimisation du traitement des matériaux métalliques par laser. II. Illustration des possibilités ouvertes par l'analyse proposée

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 23, Iss. 11, 1988-11 ,pp. : 1807-1823

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etude et modélisation des propriétés dynamiques des transistors MOS de puissance radio fréquences (UHF)

By  

Journal de Physique III, Vol. 4, Iss. 3, 1994-03 ,pp. : 503-529

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite