Nature et mécanisme de création des défauts induits à l'interface Si-SiO2 par injections homogènes de porteurs à travers l'oxyde de grille

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|2|6|947-978

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.2, Iss.6, 1992-06, pp. : 947-978

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