Diodes Schottky et MIS tunnel sur silicium amorphe hydrogéné de qualité photovoltaïque préparé par pulvérisation cathodique Caractérisation électrique par mesures capacitives

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|14|1|201-208

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.14, Iss.1, 1979-01, pp. : 201-208

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