Implantation d'azote à fortes doses dans le silicium monocristallin : doses et conditions de recuit pour l'obtention en profondeur d'une couche homogène isolante

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|15|3|647-652

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.15, Iss.3, 1980-03, pp. : 647-652

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