Réalisation de circuits intégrés I2L à base de transistors bipolaires a double hétérojonction GaAlAs/GaAs

E-ISSN： 1286-4897|1|4|557-567

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.1, Iss.4, 1991-04, pp. : 557-567

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