Etude et modélisation de la dégradation des transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique

E-ISSN： 0035-1687|21|5|305-318

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.21, Iss.5, 1986-05, pp. : 305-318

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