Related content

LATTICE DISORDER AND METAL SELF-DIFFUSION IN NON-STOICHIOMETRIC UO2 AND (U, Pu)O2

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 34, Iss. C9, 1973-11 ,pp. : C9-317-C9-325

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Nature et mécanisme de création des défauts induits à l'interface Si-SiO2 par injections homogènes de porteurs à travers l'oxyde de grille

By  

Journal de Physique III, Vol. 2, Iss. 6, 1992-06 ,pp. : 947-978

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Dégradation des MESFETs GaAs : mécanismes liés à l'interface GaAs/SiO2

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 22, Iss. 5, 1987-05 ,pp. : 299-302

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etude par pompage de, charge des défauts induits à l'interface Si-SiO2 par rayonnements ionisants

By  

Journal de Physique III, Vol. 4, Iss. 9, 1994-09 ,pp. : 1707-1721

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Étude qualitative de la croissance cristalline de HLnP$_2$O$_7$·3H$_2$O ; (Ln = La, Gd)

By  

Le Journal de Physique IV, Vol. 122, Iss. issue, 2004-12 ,pp. : 149-154

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite