Vieillissement accéléré et dégradation des diodes électroluminescentes à double hétérostructure (GaAl)As-GaAs

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|14|4|563-567

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.14, Iss.4, 1979-04, pp. : 563-567

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

Niveaux profonds dans les diodes électroluminescentes GaAs-GaAlAs

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 13, Iss. 5, 1978-05 ,pp. : 232-240

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Elaboration par épitaxie en phase liquide isotherme de photopiles solaires performantes à hétérostructure graduelle GaAlAs/GaAs

By  

Journal de Physique Lettres, Vol. 45, Iss. 17, 1984-09 ,pp. : 873-876

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Conception et évaluation des performances dynamiques d'un transistor bipolaire hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAlAs/GaAs

By  

Journal de Physique III, Vol. 2, Iss. 7, 1992-07 ,pp. : 1317-1329

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Electroluminescence « à 1 eV » des diodes laser D.H. GaAs/(Ga, Al)As

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 15, Iss. 3, 1980-03 ,pp. : 717-723

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etude théorique des performances de l'inverseur ECL à base de transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 23, Iss. 6, 1988-06 ,pp. : 1117-1125

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite