Le transistor M.O.S. de puissance en régime de saturation : la résistance de saturation et les effets de faible multiplication

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|17|2|65-74

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.17, Iss.2, 1982-02, pp. : 65-74

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

Le transistor VDMOS en régime de quasi-saturation : étude analytique et modélisation

By  

Journal de Physique III, Vol. 7, Iss. 9, 1997-09 ,pp. : 1851-1868

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Phénomène de « quasi-saturation » dans les transistors M.O.S.

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 15, Iss. 9, 1980-09 ,pp. : 1445-1450

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Amplification de puissance en régime non linéaire et en hautes fréquences à transistor MOS

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 22, Iss. 5, 1987-05 ,pp. : 321-329

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Evaluation des performances du transistor MOS de puissance surcarbure de silicium. Compromis résistance passante, tenue en tension et vitessede commutation

By  

Journal de Physique III, Vol. 4, Iss. 8, 1994-08 ,pp. : 1383-1396

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Limitation fondamentale dans les transistors MOS de puissance ; le compromis entre la résistance à l'état passant RON et la tension de claquage VDBR

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 16, Iss. 9, 1981-09 ,pp. : 509-515

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite