Dopage béryllium de couches InGaAs élaborées par épitaxie jet moléculaire : étude de la compensation

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|24|4|447-451

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.24, Iss.4, 1989-04, pp. : 447-451

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