Caractérisation des états d'interface dans des transistors MOS submicroniques par différentes techniques de pompage de charge

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|3|10|1947-1961

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.3, Iss.10, 1993-10, pp. : 1947-1961

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