Related content

Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 24, Iss. 10, 1989-10 ,pp. : 983-991

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etude du dopage de l'arséniure de gallium par la technique d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 17, Iss. 7, 1982-07 ,pp. : 405-413

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Mise en évidence des défauts profonds dans des structures MIS : Au-POxNyInz-(n)InP par la methode FTDLTS

By  

Journal de Physique III, Vol. 7, Iss. 2, 1997-02 ,pp. : 351-367

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Résonance paramagnétique de défauts générés par irradiation neutronique dans l'arséniure de gallium

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 18, Iss. 11, 1983-11 ,pp. : 703-707

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etude de l'interface (211) Σ 3 dans le silicium par la méthode des franges alpha

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 21, Iss. 3, 1986-03 ,pp. : 201-205

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite