Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|24|10|983-991

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.24, Iss.10, 1989-10, pp. : 983-991

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